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| 手机电路---场效应管电路 |
发布时间：2010-4-5 16:55:30 发布人：cswok
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手机电路中较多地采用了场效应管，场效应管与晶体管不同，它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。
一、【湖南阳光电子技术学校】场效应管的分类
根据电场对导电沟道控制方式的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种。
结型场效应管是利用加在PN结上的反向电压的大小控制PN结的厚度，从而改变导电沟道的宽窄，实现对漏极电流的控制作用。
绝缘栅场效应管是利用绝缘栅在外电压的作用下，产生的感应电荷控制导电沟道的宽窄，绝缘栅场效应管又称为金金属氧化物场效应管简称MOS管。
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点是：当Vgs=0时，Id(漏极电流)=0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。耗尽型场效应管的特点是：漏、【湖南阳光电子技术学校】源极间一开始就有一个原始导通沟道，即使Vgs=0，在漏极电压的作用下也有较大的漏极电流。根据半导体材料的不同，每一种又可分为N沟道和P沟道两类。这样，总共有六种场效应管。即：N沟道结型
场效应管、【湖南阳光电子技术学校】P沟道结型场效应管、【湖南阳光电子技术学校】N沟道增强型场效应管、【湖南阳光电子技术学校】N沟道耗尽型场效应管、【湖南阳光电子技术学校】P沟道增强型场效应管和P沟道耗尽型场效应管。
场效应管分为三个极，分别是控制栅极G(相当于三极管的基极B)、【湖南阳光电子技术学校】源极S(相当于三极管的发射极E)和漏极D(相当于三极管的集电极C)。
场效应管的分类、【湖南阳光电子技术学校】符号及特性曲线见上图3-21所示。
二、【湖南阳光电子技术学校】场效应管的偏置电路
与三极管一样，场效应管必须加上适当的偏置，才能正常工作，这里介绍常用的几种偏置电路。
1.N沟道结型场效应管的偏置电路
(1)自偏置电路
如图3-22所示。
它是利用漏极电路①流过源极电阻RS，使得源极被提高了一个小的正电位。而栅极则保持零电位，栅极相对于源极呈现负电压，即：Vgs=-IsRs=-IDRDo，满足了它的反向偏置要求。RD是漏极电阻，起负载作用。
(2)分压式偏置电路，
如图3-23所示。
分压器式偏置电路类似三极管的分压式偏置电路。栅极电压VG由电阻R1和R2构成的分压器提供。这偏置稳定性比自偏置电路好。
由于N沟道结型场效应管的Vgs<0，因此，2.MOS场效应管的偏置电路
(1)耗尽型MOS场效应管的偏置电路耗尽型MOS场效应管可采用自偏置和分压器式偏置。对于N沟 道耗尽型MOS场效应管来说，栅源为负、【湖南阳光电子技术学校】零或。正偏置，漏源为正。对于P沟道耗尽型MOS场效应管来说，栅源为正、【湖南阳光电子技术学校】零或负偏置，漏源为负。
(2)增强型MOS场效应管的偏置电路
增强型MOS场效应管要求栅极保持为正向偏置，而不能采用自偏置电路。N沟道MOS场效应管栅源为正偏置，漏源为正偏置，P沟道MOS场效应管栅源为负偏置，漏源为负偏置
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