S为电源选择开关。当S闭合时，选择交流电压llOV倍压整流电路（点击电路图可放大观看！）。其工作原理下图所示。假定在交流电的正半周a点呈正电位，b点为负电位，此时整流桥中的二极管VDb和VDc导通，VDa与VDd截止，参见(a)图。11OV交流电就沿下述途径对C1充电：u→a→C1→VDc→b，将Uc1充到约为 ×llOV=155V，极性为上端正、下端负。在负半周时，b点呈正电位，a点变成负电位，等效电路（点击电路图可放大观看！）见(b)图。此时VDa、VDd导通，VDb、VDc截止，电流沿着u→b→VDa→C10→a的路途对Cl0充电，使Uc10≈115V，极性仍为上端正、下端负。显然，整流滤波器的实际输出电压 =Ucl+Ucl0≈2×155V=310V，从而实现了倍压整流，即使在低压输入时也能获得额定的直流高压。因VDa和VDd的导通压降很小，TOP227Y的动态导通电阻也可忽略不计，故整流滤波器的负载即高频变压器的初级阻抗为ZT。R10和R11为均衡电阻，可以平衡Cl0、C1上的电压，避免某一电容因所承受的压降过高而被击穿。此外，在断电后，这两只电阻还给电容提供泄放电路（点击电路图可放大观看！）。

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    当S断开时，就选择220V交流电。此时，Cl0与C1，相串联，总电容量变成235μF。在交流进线端接入的电磁干扰滤波器(EMI filter)，由共模扼流圈L2和C6～C8、C3、R12构成。C7与C8的中点应接地。L2与C7、C8用来抑制共模干扰，C6和C3专门滤除串模干扰。因C6的容量较大(0.47μF)，并在其上并联电阻R12，故断电后，C6经R12进行放电，可避免电源进线端L、N上带电。鉴于TOP227Y在关断的瞬间，高频变压器的漏感会产生尖峰高压，现利用 VD1、R13、Cll组成的钳位电路（点击电路图可放大观看！），再由稳压管VDzl～VDz3对漏一源电压UDS进行钳位。上述措施能有效地保护功率MOSFET不受损坏。高频变压器次级的两个线圈分别为N2s和N2b。滤波电感L1的两个共模绕组依次为L1a和Llb。利用L1a和Llb的互感能增加L1的等效电感量，对共模干扰具有更强的抑制作用。N2a上的电压经过VD2、L1a和Cl5整流滤波，可获得+12V、6.2A的稳压输出。VD2选用MURl610A型超快恢复二极管，平均整流电流Id=16A，反向耐压URM=100V，反向恢复时间trr=35ns，采用TO～220封装。VD6和VD5均为续流二极管。N2b的电压通过VD3、L1b和C2，整流滤波后，可获得+5V、15A的稳压输出。为提高对高频大电流进行整流时的效率，VD3采用了MBR3045型肖特基共阴对管，将内部的两只管子并联使用。其主要参数如下：Id=30A，URM=45V，trr<10ns，TO一220封装。C14和R8能抑制VD5上的高频衰减振荡(亦称“振铃”)。R2为+12V输出的最小负载，用于提高轻载时的电压调整率。